| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SSM6P41FE(TE85L,F) |
SOT-563，SOT-666 | Toshiba | 15538 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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SSM6P41FE(TE85L,F)参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET DUAL P-CH 20V .72A ES6 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：720mA 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：300 毫欧 @ 400mA，4.5V Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.76nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds：110pF @ 10V 功率 - 最大：150mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 矩形 - 自由悬挂XG4E-3431 尖端，喷嘴STTC-138 Card EdgeEB71S-SB2260V 铝电容器B43514A4188M 薄膜电容器ECW-F4223HL 圆形CA3100E18-9PB14 芯片电阻 - 表面CSRN2010FTR294 DC DC ConEHW007A0B41Z 芯片电阻 - 表面MCU08050D1652BP500 陶瓷电容器SR151A330FAA |
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